FQA19N60

FQA19N60. C (pol.): 2800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 74A. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.