Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IXFK44N80P

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Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 1 19.39€ 23.85€
2 - 2 18.42€ 22.66€
3 - 4 17.45€ 21.46€
5 - 9 16.48€ 20.27€
10 - 14 16.10€ 19.80€
15 - 19 15.71€ 19.32€
20 - 66 15.13€ 18.61€
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Quantidade em estoque : 66
Conjunto de 1

IXFK44N80P. RoHS: sim. C (pol.): 12pF. Custo): 910pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1200W. On-resistência Rds On: 0.19 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.

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