IXFK64N60P

IXFK64N60P. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK64N60P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 12000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.