IXFH58N20

IXFH58N20. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH58N20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.