Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD-220. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L640S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 150A. Potência: 140W. On-resistência Rds On: 0.0038 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 30V

C (pol.): 7660pF. Custo): 2150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 740A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 21 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 10315pF. Custo): 1980pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1372A. DI (T=100°C): 243A. DI (T=25°C): 343A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. On-resistência Rds On: 1.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Acionamento do motor DC, comutação de energia de alta velocidade. Spec info: controle de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1077pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 250A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 7660pF. Custo): 2150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 740A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 21 ns. Carcaça: SUPER-220. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 720A. DI (T=100°C): 126A. DI (T=25°C): 179A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 270W. On-resistência Rds On: 0.005 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Carcaça: SUPER-220. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SUPER-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLBA3803PPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 270W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Tensão Vds(máx.): 60V

C (pol.): 870pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Diversos: Dynamic dv/dt Rating. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Comutação rápida, unidade de porta de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRLD024PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 740pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de amplificador otimizadas para áudio classe D. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 2uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 5.7 ns. Tecnologia: Áudio digital HEXSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 660pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de amplificador otimizadas para áudio classe D. Proteção GS: diodo . Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 2uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 93m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Áudio digital HEXSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -40...+170°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL014N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 230pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL024. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 18 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 510pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 530pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 3.1A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 6.9ns. Td(ligado): 7.4 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2703. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 530pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2703. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 530pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2705. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 2.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 110pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 740pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1g. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 54 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C