Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL3705N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 37 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 170W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3600pF

C (pol.): 5890pF. Custo): 3130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1040A. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Rds muito baixos. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência de Rds-on muito baixa. DI (T=100°C): 170A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. Tecnologia: SMPS MOSFET. Tensão Vds(máx.): 30 v. Nota: UltraLow Gate

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3713S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5890pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 170W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 470A. DI (T=100°C): 98A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 140A. Potência: 200W. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 30V

C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 470A. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3803S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 67 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 222 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 19680pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 416W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Tecnologia: V-MOS TO220A. Tensão Vds(máx.): 100V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L520N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL530NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L530NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL540N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Carcaça (padrão JEDEC): 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L540NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L5602S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 53 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 9A. Potência: 74W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V

C (pol.): 1800pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD-220. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L640S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C