Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH40K. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 30A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 60A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1800pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Função: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 24 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.43V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH40UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 46 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 82A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2800pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2800pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 87 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1220V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Marcação na caixa: IRG4PH50U. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 35 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.56V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (pol.): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 850pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 92 ns. Corrente do coletor: 31A. Ic(pulso): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 184 ns. Td(ligado): 34 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Número de terminais: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 3025pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 145 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2250pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 112 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+140°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.29V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.57V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L1004S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 6590pF. Custo): 1710pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 640A. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 160A. Potência: 200W. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 790A. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.005 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. Função: Comutação rápida, unidade de porta de nível lógico

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL1404ZPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5080pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 5080pF. Custo): 970pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 790A. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 40V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3290pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 400A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL2203NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2203NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2203NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2505S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 3700pF. Custo): 630pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 190A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL3502. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 96 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3502S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 96 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3600pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 310A. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS