IRG4PH50KD

IRG4PH50KD. C (pol.): 2800pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 87 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1220V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 07:25.