IRL3705N

IRL3705N. C (pol.): 3600pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 310A. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.