Transistores

C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. On-resistência Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ44NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 160A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. On-resistência Rds On: 17.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZ44NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 94W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1812pF. Custo): 393pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 220A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 55A. Potência: 115W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V

C (pol.): 1696pF. Custo): 407pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1696pF. Custo): 407pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ46NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1696pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1970pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 68 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 210A. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRFZ48NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1970pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 64A. Potência: 130W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 43 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 64A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 54 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.27V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Corrente máxima do coletor (A): 32A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 19A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 38A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 10A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 38A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 13A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 39 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 93 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 52A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20U. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 13A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 21 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 86 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 52A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 31A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 42 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 230 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 28A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 56A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 34A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 68A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Função: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 175 ns. Td(ligado): 27 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.59V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1100pF. Custo): 73pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Função: UltraFast CoPack IGBT. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcação na caixa: IRG4BC30UD. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 91 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 23A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 91 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 92A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30U. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 23A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 91 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 92A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 980pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Função: transistor MOSFET de potência até 150 kHz. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcação na caixa: IRG 4BC30W. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 99 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS