IRG4BC30W

IRG4BC30W. C (pol.): 980pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Função: transistor MOSFET de potência até 150 kHz. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcação na caixa: IRG 4BC30W. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 99 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 20:25.