Transistores

C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9120N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 340pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK ( TO-252AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9220PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFRC20PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 500pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Advanced Power MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Função: Carga de porta baixa (típico 22nC), Low Crss

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V

C (pol.): 1500pF. Custo): 178pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: I-PAK. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU024NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 17A. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 100V

C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 360pF. Custo): 92pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU420PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU4620PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 144W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ24NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZ24NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 700pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 100A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 31 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ34NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 31 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C