Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRFS630A

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IRFS630A. C (pol.): 500pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Advanced Power MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
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C (pol.): 800pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFI630G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 9.4 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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