IRFR9220

IRFR9220. C (pol.): 340pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK ( TO-252AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 10:25.