Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFRC20

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IRFRC20. C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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