Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF610

IRF610
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IRF610. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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