Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. RoHS: sim. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C (pol.): 540pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta corrente. Proteção GS: NINCS. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 12:25.