Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF9630

IRF9630
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IRF9630. C (pol.): 700pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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