IRF5210S

IRF5210S. C (pol.): 2860pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Marcação na caixa: F5210S. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.8W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.