Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.86€ | 3.52€ |
5 - 9 | 2.72€ | 3.35€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.17€ |
25 - 29 | 2.43€ | 2.99€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.86€ | 3.52€ |
5 - 9 | 2.72€ | 3.35€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.17€ |
25 - 29 | 2.43€ | 2.99€ |
Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF5210S. Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2860pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Marcação na caixa: F5210S. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.8W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 17:25.
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