Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC109C

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BC109C. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): TO-226. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 270. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC557C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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