Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C
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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C. Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.

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BC547C

BC547C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (...
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): TO-226. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 270. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC557C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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