Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC557C

BC557C
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1 - 4 0.41€ 0.50€
5 - 9 0.39€ 0.48€
10 - 24 0.37€ 0.46€
25 - 49 0.35€ 0.43€
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BC557C. Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): 10pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC547C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546C
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