Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC546C

BC546C
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BC546C. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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