IRFP9140N

IRFP9140N. C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250mA. IDss (min): 25mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.