Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3562

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2SK3562. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. Marcação na caixa: K3562. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 800pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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