STP6NK90Z

STP6NK90Z. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.