IRFBE30

IRFBE30. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 82 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.