BS170

BS170. C (pol.): 24pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 1.2A. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: BS170. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, Pequenos sinais. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.