Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645

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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645. Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.)...
2SK1507
Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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