Transistores

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 520A. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 130A. Pd (dissipação de energia, máx.): 520W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V

C (pol.): 6160pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power-MOSFET. Id(im): 300A. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (máx.): 72A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Nota: Alta freqüência. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-247AC. Marcação do fabricante: IRFP4710PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 72A. Potência: 190W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

C (pol.): 1070pF. Custo): 6040pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 380A. DI (T=100°C): 66A. DI (T=25°C): 94A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 580W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP90N20DPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 580W. Carcaça (padrão JEDEC): 580W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250mA. IDss (min): 25mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9140NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9140PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Carcaça (padrão JEDEC): 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1200pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: transistor complementar (par) IRFP240. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9240PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 88 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2100pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA-. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPC50PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 88 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3900pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1900pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 22A. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: comutação rápida, ORION TV. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPE40PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3100pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 31A. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 7.8A. Potência: 190W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-247AC HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: <63/214ns. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 4.7A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS L. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 900V

C (pol.): 2900pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPF50PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 6.1A. Potência: 190W. Carcaça: TO-247AC. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 1000V

C (pol.): 5579pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 144A. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: 17.4k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 17.4k Ohms. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPS37N50APBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5580pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 446W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C