Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFPE40

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IRFPE40. C (pol.): 1900pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 22A. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: comutação rápida, ORION TV. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.

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C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 3100pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 31A. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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