Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.73€ | 5.82€ |
5 - 9 | 4.50€ | 5.54€ |
10 - 24 | 4.26€ | 5.24€ |
25 - 49 | 4.02€ | 4.94€ |
50 - 99 | 3.93€ | 4.83€ |
100 - 127 | 3.41€ | 4.19€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.73€ | 5.82€ |
5 - 9 | 4.50€ | 5.54€ |
10 - 24 | 4.26€ | 5.24€ |
25 - 49 | 4.02€ | 4.94€ |
50 - 99 | 3.93€ | 4.83€ |
100 - 127 | 3.41€ | 4.19€ |
Transistor de canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE50. Transistor de canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 3100pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 31A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 11:25.
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