IRFPF50

IRFPF50. C (pol.): 2900pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.