Transistores

C (pol.): 5600pF. Custo): 1310pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(im): 640A. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 310W. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 31A. Pd (dissipação de energia, máx.): 131W. On-resistência Rds On: 0.51 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 100V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2800pF. Custo): 1100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 29A. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFP150. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.36 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP150NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP150PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 3450pF. Custo): 513pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET. Id(im): 88A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 22A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 277W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Peso: 4.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: transistor complementar (par) IRFP9240. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-247AC. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP240PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 20A. Potência: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V

C (pol.): 2159pF. Custo): 315pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 186 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-247AC. Marcação do fabricante: IRFP250NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2159pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 214W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 30A. Potência: 214W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP250PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP254PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 74 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4057pF. Custo): 603pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 268 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Peso: 5.57g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP260NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4057pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Carcaça (padrão JEDEC): 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP260PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 5400pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: comutação rápida, dv/dt dinâmico. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4660pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 13000pF. Custo): 2100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 870A. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 470W. On-resistência Rds On: 3.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP2907PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 13000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 470W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP2907ZPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 97 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 310W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 8970pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 1080A. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. On-resistência Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: sim. Peso: 4.58g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 118 ns. Td(ligado): 16 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5000pF. Custo): 553pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 124A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Id(im): 840A. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS