IRFP31N50L

IRFP31N50L. C (pol.): 5000pF. Custo): 553pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 124A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.