IRFP150

IRFP150. C (pol.): 2800pF. Custo): 1100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 29A. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFP150. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.