Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP3415PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 72 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 2600pF. Custo): 660pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 87 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MOSFET de potência HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP350PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 87 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4500pF. Custo): 1100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 92A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3400pF. Custo): 540pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 91A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Marcação do fabricante: IRFP360PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 23A. Potência: 280W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247AC HV. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V

C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 180A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: FastSwitch. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 51A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP3710PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 58 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Carcaça (padrão JEDEC): 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Peso: 5.8g. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 7370pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 190A. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 5uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 430W. On-resistência Rds On: 0.049 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5860pF. Custo): 530pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 230A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP4468PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 52 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 19860pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 520W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 2600pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 540 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 56A. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92us. Td(ligado): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2200pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 580us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low Gate Charger. Id(im): 56A. DI (T=100°C): 8.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP450LCPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP450PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 92 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Carcaça (padrão JEDEC): 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 10470pF. Custo): 977pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 171A. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 517W. On-resistência Rds On: 0.0048 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4200pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: TO-247. C (pol.): 3100pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 152pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 437ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 62A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 278W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 117 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: D Series Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C (pol.): 3940pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3600pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Comutação rápida, carga de porta ultra baixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP460LCPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3600pF

Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP460PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 20A. Potência: 250W. Carcaça: TOP-3 (TO-247). Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V