Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFP3710

IRFP3710
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IRFP3710. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 180A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.

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Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: FastSwitch. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 51A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V
IRFP3710N
Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: FastSwitch. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 51A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V
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