IRFP450

IRFP450. C (pol.): 2600pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 540 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 56A. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92us. Td(ligado): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.