IRFP4229PBF

IRFP4229PBF. C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Peso: 5.8g. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.