IRFP4332

IRFP4332. C (pol.): 5860pF. Custo): 530pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 230A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.