Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
0
Categorias de Produtos :
Armários para eletrónicos
>
1201
Áudio
>
306
Automação
>
19
Cabos
>
1768
Componentes passivos
>
14437
Computer
>
56
Conectores
>
5628
Eletrónica de lazer
>
540
Energia
>
1333
Ferramentas
>
1371
Interruptores
>
929
Optoelectrônica
>
1956
Peças mecânicas
>
439
Proteção elétrica
>
1127
Relés
>
850
Reparando
>
956
Resfriamento
>
751
Semicondutores
>
14457
Transformadores
>
554
Semicondutores Transistores

IRFP460APBF

IRFP460APBF
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 1 4.77€ 5.87€
2 - 2 4.53€ 5.57€
3 - 4 4.29€ 5.28€
5 - 9 4.05€ 4.98€
10 - 19 3.96€ 4.87€
20 - 29 3.86€ 4.75€
30 - 175 3.72€ 4.58€
Quantidade U.P
1 - 1 4.77€ 5.87€
2 - 2 4.53€ 5.57€
3 - 4 4.29€ 5.28€
5 - 9 4.05€ 4.98€
10 - 19 3.96€ 4.87€
20 - 29 3.86€ 4.75€
30 - 175 3.72€ 4.58€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 175
Conjunto de 1

IRFP460APBF. RoHS: sim. Carcaça: TO-247. C (pol.): 3100pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.

Documentação técnica

Produtos equivalentes :

Fora de estoque
2SK1170

2SK1170

C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quan...
2SK1170
C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim
2SK1170
C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim
Conjunto de 1
13.35€ IVA incl.
(10.85€ sem IVA)
13.35€

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :
Por email
Termos de Vendas

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.