Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK1170

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2SK1170. C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 4200pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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