Transistores

C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 470ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFIBF30GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. On-resistência Rds On: 0.024 Ohms. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 31A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 55V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL014N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 13 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 400pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 11.2A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFL024NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 22.2 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL024N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 0.96A. DI (T=25°C): 1.5A. Idss (máx.): 1.5A. Nota: b47kaa. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 100V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL110. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 7.7A. DI (T=100°C): 0.6A. DI (T=25°C): 0.96A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Nota: serigrafia/código SMD FC. Marcação na caixa: FC. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. C (pol.): 660pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 30A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL4310. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FE. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 270pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 8.8A. DI (T=100°C): 0.69A. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP044N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V

C (pol.): 2400pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. Id(im): 290A. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1900pF. Custo): 620pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 210A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4500pF. Custo): 2000pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 64A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2900pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 81 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 290A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 81A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.012 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4000pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 390A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP064NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP064PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 21 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1700pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Nota: transistor complementar (par) IRFP9140. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.077 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 180W. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS