Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFP044N

IRFP044N
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IRFP044N. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP044N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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C (pol.): 4500pF. Custo): 2000pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 64A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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