IRFL9110

IRFL9110. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 8.8A. DI (T=100°C): 0.69A. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.