Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFP048NPBF

IRFP048NPBF
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IRFP048NPBF. C (pol.): 1900pF. Custo): 620pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 210A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.

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C (pol.): 2400pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. Id(im): 290A. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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