STP62NS04Z

STP62NS04Z. C (pol.): 1330pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: totalmente protegido. Id(im): 248A. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. Marcação na caixa: P62NS04Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 12.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 33V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.