IRFIBC40G

IRFIBC40G. C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 470ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.