Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: HD-1. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9024PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 5.6A. DI (T=100°C): 0.49A. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9110PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Carcaça (padrão JEDEC): 1.2 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.6A. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9120PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.34A. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: HD-1. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9220PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI3205PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 63W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 29A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 37W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI520GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 37W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI530GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 670pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI540GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 53 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 54W. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFI630G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 9.4 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI630GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 32W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI640GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1100pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge. Id(im): 23A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Nota: Viso 2500V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI740G. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 54 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 0.55 Ohms 40W

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 4.6A. On-resistência Rds On: 0.85 Ohm 40W. Carcaça: TO-220-F. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: diodo . Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI840GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI9540GPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Função: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 4.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Função: td(on) 12ns, td(off) 34ns

C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 6A. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Switching. Proteção GS: NINCS