IRFD9110

IRFD9110. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 5.6A. DI (T=100°C): 0.49A. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.